Вообще разгон компьютера интересная тема с одной стороны и полезная с другой.
Я вспоминаю, когда сыну лет семь назад был куплен персональный (для него лично) компьютер. Я не скажу, что он был крутой и навороченный, но по тем временам очень даже приличный. Комплектацию его я уже и не помню, но был он на двух ядерном Intel c 2Gb оперативной памяти. После покупки я решил его потестировать …и всё не мог понять почему он такой тормозной. Войдя в BIOS setup, всё встало на свои места. Продавцы дабы компьютер прошёл гарантийный срок занизили настройки компьютера в BIOS.
Исправив это в соответствии с мануалом (инструкцией) на материнскую плату, компьютер заработал, так как я и ожидал. Хорошо знать какие настройки соответствуют параметрам в BIOS setup.
Ну это краткое отступление, а сейчас, что касается оперативной памяти, важно прочитать статью внимательно и полностью!
Память в своём развитии прошла такой же долгий путь, как и процессор. За всё время её существования сменилось более 10 модификаций, начиная с EDO RAM и заканчивая DDR3 SDRAM. Память – это второе по быстродействию устройство после центрального процессора. Её задачей является своевременное предоставление процессору необходимой информации, поэтому требования к скорости памяти очень высокие.
Модули памяти выпускает достаточно большое количество производителей.
Производителей именно микросхем памяти единицы, намного больше компаний занимающихся выпуском модулей памяти, напаиванием чипов на платы собственной разработки. И от изготовителей модулей памяти, качество продукции зависит не меньше, чем от производителя самих чипов. Для выпуска качественного модуля недостаточно произвести хорошую конструкцию, для этого нужен современный техпроцесс. Кроме того, именитые фирмы уделяют достаточно внимания тестированию как самих чипов, так и готовых модулей. Из наиболее известных фирм, которые хорошо себя зарекомендовали среди пользователей, следует назвать фирмы:
Hynix, Samsung, Corsair, Kingmax, Transcend, Kingston, OCZ.
DIMM (Dual In-line Memory Module) – модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.
4.Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)
Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с
На 8 я поделил, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).
В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).
DDR-память, работающую на частоте 100 МГц, иногда обозначают как DDR200, подразумевая при этом, что частота шины данных памяти составляет 200 МГц. Аналогично при работе ядра памяти на частоте 133 МГц используют обозначение DDR266, при частоте 166 МГц – DDR333, а при частоте 200 МГц – DDR400.
Нетрудно рассчитать и ее пропускную способность. Учитывая, что ширина шины данных составляет 8 байт, для памяти DDR200 получим 1,6 Гбайт/с, для DDR266 – 2,1 Гбайт/с, для DDR333 – 2,7 Гбайт/с, а для DDR400 – 3,2 Гбайт/с.
Хотя обозначения типа DDR200, DDR266, DDR333 и DDR400 кажутся вполне логичными и понятными, официально принято другое обозначение. В названии используется не эффективная частота, а пиковая пропускная способность, измеряемая в мегабайтах в секунду (Мбайт/с).
Ниже приведен список соответствий частот в различных обозначениях.
100 МГц → PC1600 DDR SDRAM → PC100 SDRAM → PC800 RDRAM.
133 МГц → PC2100 DDR4DDR266 SDRAM4PC133 SDRAM → PC1066 RDRAM.
166 МГц → PC2700 DDR SDRAM → DDR333 SDRAM → PC166 SDRAM.
200 МГц → PC3200 DDR SDRAM → DDR400 SDRAM.
216 МГц → PC3500 DDR SDRAM → DDR433 SDRAM.
233 МГц → PC3700 DDR SDRAM → DDR466 SDRAM.
250 МГц → PC4000 DDR SDRAM → DDR500 SDRAM.
Память DDR2 SDRAM
Внешне память DDR2 отличается от DDR количеством контактов, что означает их несовместимость. Поэтому если вы планируете использовать память стандарта DDR2, имейте в виду, что увеличить ее объем можно будет, лишь установив модуль такого же типа.
Самый простые модули памяти DDR2 работают на тактовой частоте 200 МГц, то есть память имеет обозначение DDR2-400. Если придерживаться приведенного ранее списка, то соответствие частот будет следующее.
200 МГц → PC3200 DDR SDRAM → DDR2–400 SDRAM.
250 МГц → PC4000 DDR SDRAM → DDR2–500 SDRAM.
266 МГц → PC4300 DDR SDRAM → DDR2–533 SDRAM.
333 МГц → PC5300 DDR SDRAM → DDR2–667 SDRAM.
400 МГц → PC6400 DDR SDRAM → DDR2–800 SDRAM.
450 МГц → PC7200 DDR SDRAM → DDR2–900 SDRAM.
500 МГц → PC8000 DDR SDRAM → DDR2–1000 SDRAM.
533 МГц → PC8500 DDR SDRAM → DDR2–1066 SDRAM.
Поскольку DDR2-память работает на высоких частотах, ее микросхемы достаточно сильно нагреваются. Еще больше они нагреваются, когда происходит разгон памяти. Поэтому очень часто чипы памяти закрываются сплошной алюминиевой пластиной, которая служит радиатором, позволяя более эффективно отводить тепло от микросхем или монтировать на них дополнительные радиаторы.
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.
У DDR3 уменьшено на 15% (точный процент) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существуют DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных DDR3 на 10%.
В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.
Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.
DDR3-800 → 100 МГц →400 МГц →PC3-6400 → 6400 МБ/с
DDR3-1066→ 133 МГц →533 МГц →PC3-8500 → 8533 МБ/с
DDR3-1333→ 166 МГц →667 МГц →PC3-10600→ 10667 МБ/с
DDR3-1600→ 200 МГц →800 МГц →PC3-12800→ 12800 МБ/с
DDR3-1866→ 233 МГц →933 МГц →PC3-14900→ 14930 МБ/с
DDR3-2000→ 250 МГц →1000 МГц →PC3-16000→ 16000 МБ/с
DDR3-2133→ 266 МГц →1066 МГц →PC3-17000→ 17066 МБ/с
DDR3-2200→ 275 МГц →1100 МГц →PC3-17600→ 17600 МБ/с
DDR3-2400→ 300 МГц →1200 МГц →PC3-19200→ 19200 МБ/с
В принципе, на материнскую плату можно поместить элементы памяти с различным временем доступа, но это, скорее всего, приведёт к нестабильной работе системы или вообще к уё неработоспособности. В этом случае нужно в BIOS установить параметры, соответствующие более медленной памяти (естественно, при этом работа системы замедлится).
Исходя из вышеизложенного, получается, что один из вариантов разгона оперативной памяти – любой ценой заставить её максимально уменьшить время, необходимое для выдачи требуемой информации.
Другой вариант – повысить напряжение питания в слотах оперативной памяти.
Если насчёт второго варианта всё ясно, то о первом стоит поговорить более подробно.
На модуле оперативной памяти всегда находится специальная микросхема SPD (Serial Presence Detect). Она предназначена для хранения информации о типе памяти, её объёме и реальных показателях задержек и напряжения. Благодаря этой микросхеме BIOS всегда может получить достоверную информацию о памяти и использовать её в случаях, когда указано автоматическое определение параметров памяти (например. В AMIBIOS за это отвечает параметр Configure SDRAM Timing by SPD).
Если пользователь устанавливает свои параметры памяти, то данные из SPD игнорируются и её работоспособность начинает всецело зависить от новых значений, поэтому с этим нужно быть очень осторожным.
За работу оперативной памяти отвечают четыре параметра, которые следят за временными задержками в ней. В BIOS разных производителей эти параметры могут называться по – разному и иметь большее или меньшее количество значений.
Ниже описаны эти параметры и варианты их использования для AMIBIOS.
SDRAM CAS# Latency – отвечает за количество тактов процессора, крторое отводится на формирование CAS – сигнала. Если коротко, то CAS (Column Address Strobe) – это некий указатель на нужный столбец памяти. Соответственно, CAS# Latency – интервал времени, задержка, которая необходима для поиска этого столбца по имеющемуся адресу.
Понятно, что чем меньше эта задержка, тем выборка данных будет происходить быстрее. Однако слишком маленькая задержка может привести к нестабильной работе памяти (память не успеет найти нужную ячейку.)
В зависимости от материнской платы и типа «прошивки» BIOS могут быть доступны разные значения. Как правило, это 2 Clocks и 2,5 Clocks.
модули DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM характеризуется в среднем несколько большим значением — от 3 до 6 и от 6 до 10 соответственно.
Чтобы ускорить выборку, достаточно выбрать параметр 2 Clocks.
SDRAM RAS# Precharge – отвечает за количество тактов процессора, которое отводится на формирование RAS- сигнала. RAS (Row Address Strobe) – это указательна строку памяти. Для его поиска необходимо некоторое время, равное количеству тактов процессора. За это отвечает значение параметра SDRAM RAS# Precharge.
В зависимости от материнской платы и типа «прошивки» BIOS могут быть доступны следующие значения: 2 Clocks и 3 Clocks.
Для DDR2 SDRAM характерны значения от 3 до 6 тактов, а для DDR3 SDRAM — от 6 до 10 тактов.
Для максимально быстрого обращения памяти нужно выбрать значение 2 Clocks.
SDRAM RAS# to CAS# Delay – регулирует скорость перехода от формирования CAS –сигнала к формированию RAS – сигнала. Связано это с тем, что сразу два запроса памяти отправлять нельзя, поэтому делается задержка на времени формирования первого из них.
В зависимости от материнской платы и типа «прошивки» BIOS могут быть доступны следующие значения: 2 Clocks и 3 Clocks.
Для DDR2 SDRAM характерны значения от 3 до 6тактов, а для DDR3 SDRAM — от 6 до 10 тактов.
Для минимальной задержки между формированием указанных сигналов достаточно выбрать значение 2 Clocks.
SDRAM Precharge Delay – отвечает за количество тактов, необходимых для формирования общего сигнала.
В зависимости от материнской платы и типа «прошивки»BIOS могут быть доступны разные значения. Как правило, это 5 Clocks, 6 Clocks и 7 Clocks.
DDR2 SDRAM — от 10 до 15тактов, DDR3 SDRAM — от 18 до 30 тактов.
Для минимальной длительности формирования сигналов RAS и CAS достаточно выбрать значение 5 Clocks.
Кроме описанных выше параметров, которые отвечают за тайминги (задержки) памяти, в BIOS могут присутствовать ущё некоторые пункты, тем или иным образом влияющие на работу памяти. Например, в BIOS часто встречается пункт SDRAM Frequency, который отвечает за частоту работы оперативной памяти. На современных платах в качестве значений можно увидеть Auto, 200 , 266 и т.д. Изменяя эти параметры, можно добиться повышения быстродействия, однако при этом придётся установить максимальные тайминги, иначе память просто не сможет корректно функционировать.
Итак, направление движения известно, так что можно приступать к разгону. Он может проводится двумя способами.
Изменение таймингов памяти.
Принцип разгона примерно такой: поочерёдно уменьшая тайминги, загружаем операционную стстему и тестируем её стабильность, выполняя одну из ресурсоёмких задач. Если Windows работает без сбоев, то пробуем уменьшить опять.
Здесь стоит сразу упомянуть о том, что на возможность проведения описанных операций сильно влияет текущая частота FSB материнской платы. Даже при номинальной частоте наблюдается повышение быстродействия памяти до 10%. Однако стоит только увеличить частоту FSB – и оперативная память получает двойной разгон, что может привести к её нестабильной работе. Поэтому здесь нужно подобрать ту черту, при которой в достаточной мере разгоняется вся система и оперативная память.
Повышение напряжения питания памяти.
Что даёт повышение напряжения? При повышении напряжения питания памяти расширяются её возможности в плане увеличения частоты и стабильной работы с короткими таймингами.
Практика показывает, что большинство чипов памяти, рассчитанных на напряжение питания 2,5-2,9В, спокойно работаетс напряжением 3-3,2В. Конечнотакое повышение напряжения не приветствуется производителями материнских плат, поэтому они просто – напросто блокируют такую возможность или делают максимальным напряжение до 2,9В. Однако если у вас материнская плата, ориентированная специально на оверлокеров, то можно себе позволить повышение напряжения. Но будьте осторожны и не увеличивайте напряжение большими скачками и выше порога в 3,1-3,2В без предварительного ознакомления с дополнительной информацией.
Оперативная память, работающая на стандартных частотах и при штатном напряжении не греется на столько, что ей было бы необходимо дополнительно охлаждение. Но если напряжение, подаваемое на модули памяти, повышено, то такое охлаждение может понадобиться.
Про охлаждение процессора, чипсета и видеокарты, я уже писал.
На рынке представлены готовые наборы радиаторов,